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J-GLOBAL ID：200903013774672389

ディジタルRFメモリ装置

Inventor： 村上 友章 ,  春田 朋広
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995226205
Publication number (International publication number)：1997073769
Application date： Sep. 04, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は位相ずれの無い繰り返し信号の再生を可能とすることによりスプリアスを抑圧することができるディジタルRFメモリ装置を提供することを目的とする。【解決手段】手段11でRF信号をディジタル信号(D信号)に変換し、手段12でD信号の記憶/再生を行い、再生D信号を手段13でアナログ信号に変換するディジタルRFメモリ装置であって、手段14で、D信号を手段12の任意区間のアドレスA0 〜An の記憶領域に記憶する制御と、D信号記憶先頭から複数個のアドレスA0 〜A0+n の記憶領域のD信号振幅値を検出し、検出振幅値と一致する振幅値のD信号の記憶領域のアドレスAL を検出し、先頭アドレスA0 から検索アドレスAL 間のアドレスを再生アドレスA0 〜AL として記憶しておき、再生アドレスA0 〜AL の記憶領域に記憶されたD信号を読み出す制御を行うように構成する。

Claim (excerpt)：

RF信号をディジタル信号に変換するA/D変換手段と、該ディジタル信号の記憶/再生を行うメモリ手段と、該ディジタル信号を該メモリ手段の任意区間のアドレスA0 〜An の記憶領域に記憶する制御と、該ディジタル信号が記憶された先頭から複数個のアドレスA0 〜A0+n の記憶領域に記憶された複数の基準となる振幅値を検出し、この検出された複数の基準振幅値と一致する複数の振幅値の先頭振幅値が記憶された記憶領域のアドレスAL を検出し、先頭アドレスA0 から検出アドレスAL 間のアドレスを再生アドレスA0 〜AL として記憶し、該再生アドレスA0 〜AL の記憶領域に記憶されたディジタル信号を読み出す制御を行うメモリ制御手段と、該メモリ手段から読み出されたディジタル信号をアナログ信号に変換するD/A変換手段とを具備したことを特徴とするディジタルRFメモリ装置。

IPC (3)：

G11C 7/00 311 ,  G01S 7/285 ,  G11C 27/00

FI (3)：

G11C 7/00 311 E ,  G01S 7/285 B ,  G11C 27/00 C