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J-GLOBAL ID：200903013777230123

半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： 西尾 仁 ,  山岸 英雄
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999234009
Publication number (International publication number)：2001060705
Application date： Aug. 20, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 この発明は半導体層を成膜するに要するタクトタイムを短縮できるようにした半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 連設された複数の成膜室4,5,6に基板13を順次搬送し、この基板にp層、i層及びn層の各半導体層を積層形成する半導体装置の製造方法において、少なくともp層とi層を成膜する成膜室をほぼ同じ温度に設定すると共に、上記基板の温度は、加熱時の温度上昇の時間差によってp層を成膜するときの温度をi層を成膜するときの温度よりも低くすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

連設された複数の成膜室に基板を順次搬送し、この基板にp層、i層及びn層の各半導体層を積層形成する半導体装置の製造方法であって、少なくともp層とi層を成膜する成膜室をほぼ同じ温度に設定すると共に、上記基板の温度は、加熱時の温度上昇の時間差によってp層を成膜するときの温度をi層を成膜するときの温度よりも低くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 31/04 T ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205

F-Term (23)：

4K030FA01 ,  4K030GA12 ,  4K030KA23 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DQ15 ,  5F045EK27 ,  5F045EN05 ,  5F045HA25 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA22 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17