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J-GLOBAL ID：200903013780864184
半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993141750
Publication number (International publication number)：1994334168
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、Si基板上にIII-V族混晶半導体をエピタキシャル成長させてSi電子素子とモノリシックに集積しうる光半導体素子を提供する事である。【構成】 Si基板結晶の上に、クラッド層が格子整合するGaNP、活性層がGaNP/GaNAs応力補償型超格子よりなるレーザダイオードとSi-MOS-FETが集積されている。また、同基板結晶上には、GaNP/GaNAs応力補償型超格子光吸収層を有するpinフォトダイオードとSi-MOS-FETも集積されている。これらの光半導体素子はSi基板結晶中に設けられた光導波路により結合されている。【効果】 本発明によれば、Si基板上にIII-V族混晶半導体をミスフィット転位を発生させる事なくエピタキシャル成長させる事が可能となり、Si電子素子とモノリシックに集積しうる半導体素子を提供する事ができ、OEICへ応用できる。
Claim (excerpt)：
N系混晶半導体Al(a)Ga(b)In(1-a-b)N(x)P(y)As(z)Sb(1-x-y-z) (0≦a≦1,0≦b≦1, 0<x<1,0≦y<1,0≦z<1)を用いた半導体素子において、半導体素子を構成する複数の半導体層の格子歪がミスフィット転位が発生する臨界歪量以内である事を特徴とする半導体素子。
IPC (4)：
H01L 27/15
, H01L 29/91
, H01L 33/00
, H01S 3/18
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