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J-GLOBAL ID：200903013784082091
シリコンウェーハの窒素濃度の評価方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002071632
Publication number (International publication number)：2003273184
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】2×1014atoms/cm3以下と低濃度の窒素をドープした単結晶であっても、確実に窒素濃度を評価できる方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶から採取したウェーハに1100°C以上の熱処理を施した後、ウェーハ中に形成されたBMDの密度に基づいて前記ウェーハの窒素濃度を評価することを特徴とするシリコンウェーハの窒素濃度の評価方法である。上記の評価方法では、1100°C以上の熱処理の後、さらにBMD成長温度域での熱処理を施すことが望ましい。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶から採取したウェーハに1100°C以上の熱処理を施した後、ウェーハ中に形成されたBMDの密度に基づいて前記ウェーハの窒素濃度を評価することを特徴とするシリコンウェーハの窒素濃度の評価方法。
F-Term (3)：
4M106AA01
, 4M106CB21
, 4M106DH01
