SOI基板の製造方法および製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996325106
Publication number (International publication number)：1997223783
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SOI基板の製造方法で、従来、多孔質単結晶Si領域を除去するとき、ウェットエッチングを行なっていたが、ウェットエッチングは、SOI基板を大量に製造するとき、濃度管理が難しく、生産性の低下を招いていた。【解決手段】少なくとも多孔質単結晶Si領域101を有する単結晶Si基板100の多孔質単結晶Si領域101の表面に非多孔質単結晶Si領域102を形成する工程、前記非多孔質単結晶Si領域の表面に支持基板110を、絶縁領域103を介して貼り合わせる工程、前記多孔質単結晶Si領域を除去する工程、とを有するSOI基板の製造方法において、前記多孔質単結晶Si領域を除去する工程は、多孔質単結晶Si領域のエッチング速度が、非多孔質単結晶Si領域のそれより大きいドライエッチングを行なう工程を有する。

Claim (excerpt)：

少なくとも多孔質単結晶Si領域を有する単結晶Si基板の多孔質単結晶Si領域の表面に非多孔質単結晶Si領域を形成する工程、前記非多孔質単結晶Si領域の表面に支持基板を、絶縁領域を介して貼り合わせる工程、前記多孔質単結晶Si領域を除去する工程、とを有するSOI基板の製造方法において、前記多孔質単結晶Si領域を除去する工程は、多孔質単結晶Si領域のエッチング速度が、非多孔質単結晶Si領域のそれより大きいドライエッチングを行なう工程を有することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体素子基体及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046306 Applicant：キヤノン株式会社
半導体膜の形成方法及び該半導体膜を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-084580 Applicant：キヤノン株式会社
半導体基材の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-213149 Applicant：キヤノン株式会社

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