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J-GLOBAL ID：200903013794974233
半導体発光装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川崎 勝弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999232120
Publication number (International publication number)：2001057444
Application date： Aug. 19, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 出力光が側面から有効に発射されるように半導体発光装置を製造すること。【解決手段】 基板12に一対のリ-ド電極パタ-ン13、14を形成し、一方のリ-ド電極パタ-ン14の上面に半導体発光チップ15を搭載する。半導体発光チップ15は、他方のリ-ド電極パタ-ン13と金属線16にてワイヤ-ボンデングされる。このような半導体発光チップを、C1のエリアとC2のエリアでは発光面を逆向きに、C2のエリアとC3のエリアでは発光面を対向させて配置する。リフレクタケ-ス18a〜18b間の空間部D1〜D4に透光性の合成樹脂17を充填し、Y1〜Y4の位置で切断して個別の半導体発光装置11を形成する。このため、半導体発光装置の発光面にはリフレクタケ-スが付着しない。
Claim (excerpt)：
側面に形成される発光面を互いに逆向きにする配置と、当該発光面を互いに対向させる配置を交互に繰り返して半導体発光チップを基板に搭載する工程と、前記発光面を互いに逆向きにして配置された各半導体発光チップ間を遮蔽すると共に、発光面を互いに対向させて配置された各半導体発光チップを収納する空間部を有し、前記空間部と連通する開口部を形成したリフレクタケ-スを前記基板に載置する工程と、当該開口部から透光性の合成樹脂を充填して前記空間部に収納された半導体発光チップを封止する工程と、リフレクタケ-スの前記遮蔽側および透光性の合成樹脂が充填された空間部を切断して個別の半導体発光装置を形成する工程とからなることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 E
5F041AA06
, 5F041AA37
, 5F041CA14
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041DA74
, 5F041DA75
, 5F041DB03
, 5F041FF01
