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J-GLOBAL ID：200903013802741286

半導体レーザのフォトルミネッセンス測定方法

Inventor： 木村 達也 ,  大倉 裕二 ,  森 健三
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996174943
Publication number (International publication number)：1998022582
Application date： Jul. 04, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型化合物半導体基板に形成した化合物半導体活性層のフォトルミネッセンス波長をインラインで測定可能なPL測定方法を提供することである。【解決手段】 この発明に係る半導体レーザのフォトルミネッセンス測定方法は、p型InP半導体基板1に結晶成長されたInGaAsP活性層3に、エッチング面を形成した後に該活性層3をレーザ光Aによって励起して該活性層3から発するフォトルミネッセンス光Pの波長を測定するようにしてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p型化合物半導体基板上に結晶成長された化合物半導体よりなる活性層にエッチング面を形成し、上記エッチング面を形成した活性層をレーザ光によって励起し、該活性層から発するフォトルミネッセンス光の波長を測定することを特徴とする半導体レーザのフォトルミネッセンス測定方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G01J 3/28 ,  G01N 21/64

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G01J 3/28 ,  G01N 21/64 Z