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J-GLOBAL ID：200903013808501090

透明導電膜とその製造方法、およびそれを備えた光電変換装置

Inventor： 藤沢 章 ,  奈良 正俊 ,  浅井 貴弘 ,  末吉 幸雄 ,  市來 聖敬 ,  清原 康一郎 ,  平田 昌宏 ,  安藤 博紀
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社 ,  鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001350207
Publication number (International publication number)：2002252361
Application date： Nov. 15, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 アモルファスシリコンの吸収領域より長波長側の光を効果的に散乱させるなどして、光電変換装置の変換効率を向上させる。【解決手段】 表面に存在する凸部に関し、高さの個数分布が、横軸をnm単位として表示したときに、自由度3.5〜15のχ2型の分布関数に従い、高さ/幅の比の個数分布が自由度10〜35のχ2型の分布関数に従い、高さ50〜350nmの個数が70%以上であり、高さ/幅の比0.25〜1.05の個数が90%以上である透明導電膜を提供する。

Claim (excerpt)：

表面に存在する凸部に関し、高さの個数分布が、最頻値よりも平均値が大きく、かつ、横軸をnm単位として表示してχ2型の分布関数に従うとみなしたときに最も良く近似できる自由度が3.5〜15であり、高さ/幅の比の個数分布が、最頻値よりも平均値が大きく、かつ、χ2型の分布関数に従うとみなしたときに最も良く近似できる自由度が10〜35であり、高さ50〜350nmの個数が70%以上であり、高さ/幅の比0.25〜1.05の個数が90%以上である透明導電膜。

IPC (5)：

H01L 31/04 ,  B32B 7/02 104 ,  C23C 16/40 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (5)：

B32B 7/02 104 ,  C23C 16/40 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 31/04 M

F-Term (49)：

4F100AA28A ,  4F100AR00A ,  4F100AR00B ,  4F100AR00C ,  4F100AR00D ,  4F100BA02 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100DD01A ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01A ,  4F100JN01 ,  4F100JN01A ,  4F100JN01B ,  4F100JN06 ,  4F100JN18C ,  4F100JN18D ,  4F100YY00A ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA03 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA03 ,  5G323BB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特公平3-028073