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J-GLOBAL ID：200903013812102931

気相成長装置およびその装置を利用した気相成長方法

Inventor： 山越 康廣 ,  中村 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱マテリアルズ
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000054320
Publication number (International publication number)：2001240488
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】 パーティクル等の表面欠陥の発生を有効に抑制することができ、均一な組成の薄膜を成長させることのできる気相成長装置およびその装置を適用した気相成長方法を提供する。【解決手段】 反応炉(1)内に設けられる基板保持台(4)上に基板(S)を設置し、該基板表面に所定の方向から原料ガス(G)を供給して薄膜を形成させる気相成長装置(R)において、原料ガスが接触する反応炉の内壁の少なくとも一部に、表面に粗化処理を施した保護膜(M)で被覆した内壁部材(100,101)を配置した。

Claim (excerpt)：

反応炉内に設けられる基板保持台上に基板を設置し、該基板表面に所定の方向から原料ガスを供給して薄膜を形成させる気相成長装置において、原料ガスが接触する反応炉の内壁の少なくとも一部を、表面に粗化処理を施した保護膜で被覆したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205

F-Term (21)：

4G077AA03 ,  4G077BE41 ,  4G077BE43 ,  4G077BE44 ,  4G077DB08 ,  4G077TB05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045BB15 ,  5F045DP05 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05