高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266772
Publication number (International publication number)：2002155120
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位Aと、酸不安定基を有する繰り返し単位Bとを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1〜R6は同一又は異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1〜R6のうち少なくとも一つがフッ素原子を含む。aは0≦a≦10の範囲である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーなどの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位Aと、酸不安定基を有する繰り返し単位Bとを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1〜R6は同一又は異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子、塩素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1〜R6のうち少なくとも一つがフッ素原子を含む。aは0≦a≦10の範囲である。)

IPC (6)：

C08F232/02 , C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (6)：

C08F232/02 , C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (28)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AM47Q , 4J100AR03P , 4J100AR04P , 4J100AR05P , 4J100AR09Q , 4J100AR11Q , 4J100AR32Q , 4J100BA20Q , 4J100BB07P , 4J100CA04 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-149968 Applicant：セントラル硝子株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-124021 Applicant：信越化学工業株式会社

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