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J-GLOBAL ID:200903013818825820

トリアジンジチオ-ル誘導体の被膜生成方法ならびに被膜成分の重合方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小関 孝次
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998230026
Publication number (International publication number):1999140626
Application date: Aug. 01, 1998
Publication date: May. 25, 1999
Summary:
【要約】【課題】 金属表面のみならず、ガラスなどのセラミックスやプラスチックスなどの固体表面にトリアジンジチオ-ルにもとづく薄膜を効果的に生成させ、かかる固体表面の非汚染性、非粘着性、離型性、防曇性、潤滑性、接着性、塗装性および氷結防止性等の性能向上をはかる。【解決手段】 トリアジンジチオ-ル誘導体の1種または2種以上のそれぞれからなる各層の薄膜を蒸着あるいはスパッタ-法により固体表面に生成させ、さらに、得られたトリアジンジチオ-ル誘導体の被膜の成分を熱重合法、紫外線照射法および電解重合法のいずれかにより単独または共重合させる。
Claim (excerpt):
一般式【化1】〔式中、R1 、R2 はH、CH3 、C2 H5 、C4 H9 、C6 H13、C8 H17、C10H21、C12H25、C18H37、C20H41、C22H45、C24H49、CH2 =CHCH2 、CH2 =CH(CH2 )8 、CH2 =CH(CH2 )9 、C8 H17CH2 =CHC8 H16、C6 H11、C6 H5 、C6 H5 CH2 、C6 H5 CH2 CH2 、CH2 =CH(CH2 )4 COOCH2 CH2 、CH2 =CH(CH2 )8COOCH2 CH2 、CH2 =CH(CH2 )9 COOCH2 CH2 、CF3 C6 H4 、C4 F9 C6 H4 、C6 F13C6 H4 、C8 F17C6 H4 、C10F21C6 H4 、C6 F11OC6 H4 、C9 F17OC6 H4 、C4 F9 CH2 、C6 F13CH2 、C8 F17CH2 、C10F21CH2 、C4 FCH2 CH2 、C6 F13CH2 CH2 、C8 F1 CH2 CH2 、C10F21CH2 CH2 、C4 F9 CH2 =CHCH2 、C6 F13CH2 =CHCH2 、C8 F1 CH2 =CHCH2 、C10F21CH2 =CHCH2 、C4 F9 CH2 CH(OH)CH2 、C6 F13CH2 CH(OH)CH2 、C8 F1 CH2 CH(OH)CH2 、C10F21CH2 CH(OH)CH2 、CH2 =CH(CH2 )4 COO(CH2 CH2 )2 、CH2 =CH(CH2 )8 COO(CH2 CH2 )2 、CH2 =CH(CH2 )9 COO(CH2 CH2 )2 、C4 F9 COO(CH2 CH2 )2 、C6 F13COO(CH2 CH2 )2 、C8 F17COO(CH2 CH2 )2 、C10F21COO(CH2CH2 )2 をさすが、R2 はこの中でC6 F11OC6 H4 とC9 F17OC6 H4を含まない。またMはHおよびアルカリ金属をさす。〕で示されるトリアジンジチオ-ル誘導体の薄膜を蒸着あるいはスパッタ-法により固体表面に生成させることからなるトリアジンジチオ-ル誘導体の被膜生成方法。
IPC (4):
C23C 14/12 ,  C08G 75/04 ,  C09D181/02 ,  C07D251/46
FI (4):
C23C 14/12 ,  C08G 75/04 ,  C09D181/02 ,  C07D251/46 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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