Pat

J-GLOBAL ID：200903013828257374

半導体装置の製造方法

Inventor： 三沢 寛人 ,  辻 均
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994176733
Publication number (International publication number)：1996044070
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、化学増幅系レジストを用いたサブクォータミクロン以下のレベルでのレジストパターンの形成方法において、レジストパターンの断面形状を垂直に形成できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、基板11上に化学増幅系ポジ型レジスト12を塗布し、これに露光スレッショールドレベルに達しないエネルギのレーザ光13を照射して、全面を露光する。そして、このレジスト12と基板11との界面付近で起こるプロトンH+ の消失反応を終了させた後、さらに化学増幅系ポジ型レジスト14を塗布し、これに電子ビーム15を照射して所望のレジストパターンを露光する。これにより、現像後の、レジスト開口部17の底部での裾引き現象の発生を回避する構成となっている。

Claim (excerpt)：

基板上に、第一の溶媒を含む第一の化学増幅系レジストを塗布し、ベーク後、露光スレッショールドレベル未満のエネルギの紫外光により全面を露光する第1の工程と、前記第一のレジスト上に、この第一のレジストとは溶媒の異なる第二の溶媒を含む第二の化学増幅系レジストを塗布し、ベーク後、電子ビームにより所望のパターンを露光する第2の工程と、前記第一,第二の化学増幅系レジストを現像する第3の工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 573