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J-GLOBAL ID:200903013836679652

硬質炭素厚膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997272094
Publication number (International publication number):1999092934
Application date: Sep. 17, 1997
Publication date: Apr. 06, 1999
Summary:
【要約】【課題】 密着力の低下を生ずることなく、膜厚が1μmを越える健全な厚膜を基材上に形成でき、しかも硬度及び耐久性に優れた硬質炭素厚膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 成膜中に投入電力、原料ガス流量等を連続的又はステップ状に変化させ、硬質炭素厚膜中に含まれる水素含有量及び/又は窒素等の第三元素の含有量を変化させることにより、基材側には内部応力の小さな膜が成膜され、その上に順次内部応力の大きな膜が積層されると共に、最表面には最も内部応力の高い膜が成膜されるようにし、厚膜中に発生する内部応力に膜厚方向に対して連続的又はステップ状の傾斜を設けるようにした。
Claim (excerpt):
基材上に直接又は中間層を介して成膜した硬質炭素厚膜であって、基材側から厚膜表面側に向かって厚膜中の内部応力が増大するように、厚膜中の内部応力に連続的又はステップ状の傾斜を設けたことを特徴とする硬質炭素厚膜。
IPC (3):
C23C 16/26 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/06
FI (3):
C23C 16/26 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/06 F

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