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J-GLOBAL ID：200903013841389441

光走査型二次元濃度分布測定装置を用いたゼータ電位計測方法

Inventor： 冨田 勝彦
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049693
Publication number (International publication number)：1997292358
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 二次元のゼータ電位分布を測定することができるとともに、pHなどのイオン濃度の測定を行うことができる光走査型二次元濃度分布測定装置を用いたゼータ電位計測方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板2の一方の面にセンシング部4を形成し、他方の面にプローブ光13を照射して信号を取り出すようにした光走査型二次元濃度分布測定装置1のセンシング部4に微粒子を含んだ液体試料Sを配置し、この液体試料Sに電気泳動用の電場を与え、ゼータ電位を計測するようにした。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の面にセンシング部を形成し、他方の面にプローブ光を照射して信号を取り出すようにした光走査型二次元濃度分布測定装置のセンシング部に微粒子を含んだ液体試料を配置し、この液体試料に電気泳動用の電場を与え、界面動電位を計測するようにしたことを特徴とする光走査型二次元濃度分布測定装置を用いたゼータ電位計測方法

IPC (2)：

G01N 27/26 ,  G01N 21/17

FI (3)：

G01N 27/26 P ,  G01N 21/17 B ,  G01N 21/17 D