量子ドットの形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999175914
Publication number (International publication number)：2001007315
Application date： Jun. 22, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】量子ドットのサイズと同程度の短周期で、高密度かつ均一性良く量子ドットを形成する。【解決手段】半導体基板(10)の表面に、STMチップやAFMチップのような、先端が先鋭な金属構造物(11)を近接せしめ、これに電気的パルス(12)を印加すると、前記基板(10)の表面に直径・高さが数10〜数nmの微細突起物(13)が形成される。この後、前記突起物(13)を含む基板表面に、半導体超薄膜層(14)をエピタキシャル成長すると、前記突起物(13)の直上に微細な窪み(15)が形成される。この後さらに、前記の窪み(15)を含む超薄膜層(14)表面に、量子ドット原材料(16)を供給すると、前記窪み(15)の部分にのみ10nm程度のサイズを有する量子ドット(17)が形成される。本方法では、STMチップをnmの精度で移動できるので、数10nm、すなわち量子ドットのサイズと同程度の短周期での2次元配列が可能であり、よって高密度の量子ドットが得られるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(10)の表面に、先端が先鋭な単体又は複合材料から成る金属構造物(11)を近接せしめ、これに電気的パルス(12)を印加する事により、前記基板(10)の表面に微細な突起物(13)を形成する第1の工程と、前記突起物(13)を含む基板表面に、半導体超薄膜層(14)をエピタキシャル成長して、前記突起物(13)の直上に微細な窪み(15)を形成する第2の工程と、前記窪み(15)を含む超薄膜層(14)表面に、量子ドット原材料(16)を供給することにより、前記窪み(15)の一部又は全てを覆って、前記量子ドット原材料(16)を主成分とする量子ドット(17)を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする量子ドットの形成方法。

IPC (6)：

H01L 29/06 , G01N 13/12 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/343

FI (6)：

H01L 29/06 , G01N 13/12 A , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01S 5/343 , H01L 31/10 Z

F-Term (34)：

5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB22 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045DA56 , 5F045HA24 , 5F049MB01 , 5F049MB03 , 5F049MB07 , 5F049PA04 , 5F049QA16 , 5F073AA75 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA06 , 5F103AA04 , 5F103AA10 , 5F103DD03 , 5F103DD05 , 5F103DD07 , 5F103DD11 , 5F103DD13 , 5F103DD16 , 5F103DD23 , 5F103HH03 , 5F103LL17 , 5F103RR04 , 5F103RR05

Return to Previous Page