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J-GLOBAL ID：200903013856291863

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 安 承 彦 ,  李 明 宰 ,  金 東 徹
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007181507
Publication number (International publication number)：2008022007
Application date： Jul. 10, 2007
Publication date： Jan. 31, 2008
Summary：

【課題】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極21と、下部電極上に形成されたHfO、ZnO、InZnOまたはITOのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層22と、中間層上に形成されたNiO層23と、NiO層上に形成された上部電極24とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。これにより、サイズによってマルチレベルのバイポーラスイッチング特性を有するメモリ素子を容易に提供できる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に形成された中間層と、 前記中間層上に形成された可変抵抗物質層と、 前記可変抵抗物質層上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60