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J-GLOBAL ID：200903013907301370

半導体レーザ

Inventor： 開本 亮 ,  橋本 豊之
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 武石 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172432
Publication number (International publication number)：1994021567
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 4元AlGaInPダブルヘテロ構造の活性層近傍に正確に、かつ再現性良く、高抵抗層を発現せしめ、これによる電流狭搾作用により、レーザ光を高効率に生成することができる半導体レーザを提供する。【構成】 4元AlGaInPダブルヘテロ構造基板に窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行うことにより、電流狭搾用の高抵抗層をレーザ活性層近傍に形成する。

Claim (excerpt)：

レーザ光の発生が可能な量子井戸構造を有する、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P) の4元素から成る半導体基板に対し、窒素および酸素を注入元素として、イオン打ち込みを行うことにより、ポンピング電流を狭搾する高抵抗層をレーザ活性層近傍に形成したことを特徴とした半導体レーザ。