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J-GLOBAL ID：200903013907406385

窒素化合半導体の製造方法

Inventor： 柊元 宏 ,  渡部 信一 ,  只友 一行
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180709
Publication number (International publication number)：1995014772
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 少量の窒素含有原料の使用で窒素原子を効率よく取り込ませることができ、かつキャリア濃度に優れた窒素化合のp型半導体を電子線照射等の後処理工程の必要なく製造できる方法を得ること。【構成】 窒素をV族成分とするIII-V族化合物半導体をCVD方式で形成するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いる窒素化合半導体の製造方法。【効果】 基板の高温加熱を要さず、良好な特性を発揮する発光素子等のデバイスを形成できる窒素化合半導体が効率的に得られる。

Claim (excerpt)：

窒素をV族成分とするIII-V族化合物半導体をCVD方式で形成するにあたり、窒素含有原料としてアジドを用いることを特徴とする窒素化合半導体の製造方法。