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J-GLOBAL ID：200903013916621728

炭素質材料の製造方法及び製造装置

Inventor： 梶浦 尚志 ,  筒井 栄光 ,  宮腰 光史 ,  平野 英孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 北澤 一浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056330
Publication number (International publication number)：2002255524
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 純度の高い単層カーボンナノチューブを高効率で得ることができる炭素質材料の製造方法及び製造装置の提供。【解決手段】 炭素質材料の製造装置1は、反応管11、ガス供給部を有する。反応管11内にはアーク放電部を規定するアノード13、カソード14が設けられ、生成された炭素質材料を捕獲する捕獲器23が設けられている。反応管11の外周であって捕獲器23が設けられている位置にはRFヒーター24が設けられている。炭素質材料の製造方法では、アーク放電部で生成された炭素質材料は、ガス供給部から反応管11内に供給されたガスによって捕獲器23へ搬送され、捕獲器23において大気に曝されない状態でRFヒーター24により加熱処理され、不純物の除去、単層カーボンナノチューブの成長促進がなされる。

Claim (excerpt)：

炭素質材料生成室を画成する反応管内に炭素系材料で構成されたアノードと、該アノードに対向し該アノードとの間でアーク放電部を規定する炭素系材料で構成されたカソードとを配置し、該アーク放電部は雰囲気ガスにさらされながら、該アノード及びカソード間に電圧を供給してアーク放電がなされ、該アーク放電部で炭素質材料が生成され、該雰囲気ガスは該アーク放電部を通過可能な該反応管内の所定方向に流される炭素質材料の製造方法において、該雰囲気ガスの流れ方向において該アーク放電部の下流側の炭素質材料捕獲器で、該炭素質材料捕獲器を加熱しながら生成された炭素質材料を回収することを特徴とする炭素質材料の製造方法。

IPC (8)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  B01J 19/08 ,  B01J 31/12 ,  B82B 3/00 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/04 ,  B01D 71/02 500

FI (8)：

C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  B01J 19/08 G ,  B01J 31/12 M ,  B82B 3/00 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/04 ,  B01D 71/02 500

F-Term (27)：

4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006JA01C ,  4D006MA02 ,  4D006MC05 ,  4D006NA32 ,  4D006PB66 ,  4G046BC01 ,  4G046BC02 ,  4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4G046CC10 ,  4G069AA06 ,  4G069BA27B ,  4G069BC66B ,  4G069BC67B ,  4G069CD10 ,  4G069DA01 ,  4G075AA24 ,  4G075BD14 ,  4G075CA15 ,  4G075CA17 ,  4G075FB03 ,  4G075FC02