気相成長用基板及びその加熱方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996225159
Publication number (International publication number)：1998070313
Application date： Aug. 27, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】サファイアなどの透光性、絶縁性を有する材料の上に気相成長する際に、基板がヒーターからの熱輻射等を効率良く受け、且つまた、均一に加熱されることを目的とした、気相成長用基板及びその加熱処理方法を提供するものである。【解決手段】輻射に対し実質的に透明なウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、輻射に対して実質的な吸収体となっている薄膜とから構成され、輻射によって前記薄膜に発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板を提供する。または、電気的に絶縁性を有するウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、電気的に導電性を有する薄膜とから構成され、前記薄膜に誘導加熱により発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板を提供する。

Claim (excerpt)：

輻射に対し実質的に透明なウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、輻射に対して実質的な吸収体となっている薄膜とから構成され、輻射によって前記薄膜に発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/02 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 Z , H01L 21/02 B , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-303289 Applicant：株式会社東芝
特開昭57-208146
特開昭57-042120

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Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-303289 Applicant：株式会社東芝
特開昭57-208146
特開昭57-042120

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