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J-GLOBAL ID:200903013935726220

液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993245574
Publication number (International publication number):1995104315
Application date: Sep. 30, 1993
Publication date: Apr. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 陽極酸化AlゲートTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、陽極酸化されないAl配線表面に発生するヒロックに起因する、ゲート絶縁膜の欠陥部よりエッチャントが進入することを防止して、Al配線の断線を防ぐ。【構成】陽極酸化されないゲートAl配線に対応するゲート絶縁膜(17)上の領域に、a-Si(18)、SiNX(19)、ITO(21)、 ソース・ドレインAl(22)を積層して、エッチャントがゲート絶縁膜(17)の欠陥部に進入することを防止して、上記目的を達成する。
Claim (excerpt):
基板上に配置された複数のゲート入力端子と、該ゲート入力端子と接続する複数のゲートラインと、該ゲートラインと交差する複数のドレインラインと、マトリクス状に配置された表示電極と、該表示電極に信号を供給する薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、前記ゲートライン、及び、前記薄膜トランジスタのゲート電極はAlまたはAlを主成分とするメタルからなり、一部が陽極酸化膜により被覆されており、該陽極酸化膜が被覆されていないAlパターンまたはAlを主成分とするメタルパターン上には、少なくとも前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一の材料、更には、前記薄膜トランジスタ、または、前記表示電極を構成する材料のうち、少なくとも一つと同一の材料よりなる積層体が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786
FI (2):
H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 液晶表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-034743   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平3-274029

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