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J-GLOBAL ID：200903013940772362
平面磁気素子とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203002
Publication number (International publication number)：1999054322
Application date： Jul. 29, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】ウェハ内でアライメントマークの大きさのばらつきを数%以内に抑えることが困難であった。【解決手段】基体11上には下部磁性膜12が形成され、この上に絶縁膜14が形成されている。この絶縁膜14の上にはコイルを形成するためのメッキ下地層15が形成されるとともに、アライメントマーク13が形成されている。このアライメントマーク13は、第1のPEP工程に形成されるため、ウェハの反りが少なく、マスクパターンを形成する際の誤差が少ないため、アライメントマークの大きさのばらつきを数%以内に抑えることができる。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された第1の磁性膜と、この第1の磁性膜の上方に形成されたコイルと、このコイルの上方に形成された第2の磁性膜と、これらを覆う絶縁膜を有する平面磁気素子であって、前記基体上で前記第1の磁性膜の周辺に形成されたアライメントマークとを具備することを特徴とする平面磁気素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01F 10/08
, H01F 17/00 B
