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J-GLOBAL ID：200903013940782473
半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および表示装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997315579
Publication number (International publication number)：1999150295
Application date： Nov. 17, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】発光層より発生した光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】P型半導体層とN型半導体層とを積層させて形成され、P型半導体層とN型半導体層の間に所定の電圧を印加することにより光を発する発光層Jと、P型半導体層とN型半導体層にそれぞれ接続するP電極およびN電極を有する半導体チップ3と、表面5、5’が発光層Jの発する光の反射面となっている半導体チップ用凹部を有し、互いに絶縁するように分割されている1対の電極リード1、2と、1対の電極リードとP電極あるいはN電極を接続するように1対の電極リードとP電極あるいはN電極の間に配置されている導電層12、13とを有する構成とする。
Claim (excerpt)：
P型半導体層とN型半導体層とを積層させて形成され、前記P型半導体層と前記N型半導体層の間に所定の電圧を印加することにより光を発する発光層と、前記P型半導体層と前記N型半導体層にそれぞれ接続するP電極およびN電極を有する半導体チップと、表面が前記発光層の発する光の反射面となっている前記半導体チップ用凹部を有し、互いに絶縁するように分割されている1対の電極リードと、前記1対の電極リードと前記P電極あるいは前記N電極を接続するように前記1対の電極リードと前記P電極あるいは前記N電極の間に配置されている導電層とを有する半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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