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J-GLOBAL ID：200903013945955279

半導体ウェーハ製造装置および製造方法

Inventor： 古川 弘 ,  山本 博昭
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993211043
Publication number (International publication number)：1995050234
Application date： Aug. 04, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 通常のシリコンウェーハあるいは接着SOIウェーハのSOI層の高平坦度化を実現することができるような半導体ウェーハ製造装置および製造方法を提供する。【構成】 静電容量型厚さ測定機を用いて、研磨済みのシリコンウェーハ1を3.8mmφ角ごとに厚さ測定し、測定位置ごとの厚さデータを記憶させる。次に、厚さ測定済みのシリコンウェーハ1をヒータ2により900〜1200°Cに加熱し、厚さの厚い部分1aのみにノズル3から酸素を噴出させて部分酸化させる。酸素噴出位置および噴出時間は前記測定データに基づいて制御される。厚い部分1aの部分酸化がすべて完了したらヒータ2の電源を切り、シリコンウェーハ1を常温まで冷却した後、希釈したふっ化水素酸に浸漬して洗浄し、酸化膜を除去する。前記酸化、洗浄に代えて、厚い部分1aのみにエッチング液を噴射する方法を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

研磨済みのシリコンウェーハまたは接着SOIウェーハを載置するサセプタと、前記ウェーハを加熱するヒータと、前記ウェーハに酸素を噴射する1個または複数個のノズルと、前記ノズルの移動・停止および停止位置における酸素噴出量を制御する制御装置とを備えていることを特徴とする半導体ウェーハ製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/12