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J-GLOBAL ID：200903013958921330

ジルコニウム酸化膜を含む積層構造の誘電膜を備えたフラッシュメモリ素子の誘電体、フラッシュメモリ素子及びそれらの製造方法

Inventor：
李 昇 龍

About 李 昇 龍

, 
周 文 植

About 周 文 植


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280964
Publication number (International publication number)：2007294843
Application date： Oct. 16, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：
【課題】誘電膜として高い誘電率を有するジルコニウム酸化膜を備え、低いCET、優れた漏れ電流特性及び高い信頼性を有するフラッシュメモリ素子の誘電体、フラッシュメモリ素子及びそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】フラッシュメモリ素子の誘電体は、フラッシュメモリ素子のフローティングゲート203とコントロールゲート207との間に介装され、同じ誘電率を有する第1誘電膜204及び第3誘電膜206と、第1誘電膜204と第3誘電膜206との間に位置し、アルミニウム酸化膜205A、ジルコニウム酸化膜205Bの順に交互に積層され、第1誘電膜204及び2誘電膜206より高い誘電率を有する第2誘電膜205とを備えている。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
フラッシュメモリ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間に介装される誘電体において、 同じ誘電率を有する第1誘電膜及び第3誘電膜と、 前記第1誘電膜と前記第3誘電膜との間に位置し、アルミニウム酸化膜、ジルコニウム酸化膜の順に交互に積層され、かつ、前記第1誘電膜及び前記第3誘電膜より高い誘電率を有する第2誘電膜と を備えていることを特徴とするフラッシュメモリ素子の誘電体。
IPC (5)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115
FI (3)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/316 M ,  H01L27/10 434
F-Term (24)：
5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083GA06 ,  5F083JA02 ,  5F083PR21 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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