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J-GLOBAL ID：200903013983833187

プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315265
Publication number (International publication number)：1993125547
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 イオン衝撃による損傷が少なく且つ高性能、高速に基体を処理するプラズマ処理装置を提供する。【構成】 排気可能な処理室1内の外周部に同軸状で互いに平行な二重の筒状電極9,10が配置されており、これらの電極間に電源11により高周波を印加でき、電極9,10間に形成されるプラズマ発生用放電室8内に処理用ガスの少なくとも一種を供給する導入管6が配置されており、該放電室内に上下方向の磁界を形成する永久磁石12が処理室1外に配置されている。電極9には複数個の孔があけられており且つ接地されて高周波シールドとして機能する。2は被処理基体であり、3はその支持体であり、7は第2の処理用ガス導入管である。

Claim (excerpt)：

処理室と、該処理室内を排気する手段と、該処理室内に処理用ガスを供給する手段と、該処理室内の外周部に配置された同軸状で互いに平行な二重の筒状電極間に高周波を供給するプラズマ発生手段と、該処理室内にて被処理基体を保持する手段とを有することを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (6)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46