Pat
J-GLOBAL ID：200903013987149299
シリコン基板の表面処理方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995113104
Publication number (International publication number)：1996138986
Application date： May. 11, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ウエーハ全面にわたって原子ステップを指定した位置に配置するようにする。【構成】 シリコン基板1上に予め原子ステップの運動を規制する凹凸を通常の集積回路製造工程で用いる微細加工技術によって形成しておき、しかる後、超高真空中または超高真空と同等の作用をもつ不活性ガス中で熱処理し、冷却過程で生じる原子ステップの再配列を人工的に制御するようにする。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の所定の位置に凹凸を施し、前記シリコン基板を高真空中,還元性雰囲気中または不活性ガス中で熱処理し、前記シリコン基板の表面の原子ステップを前記凹凸によって指定された位置に配列させ、原子ステップに構造に規則性を付与することを特徴とするシリコン基板の表面処理方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
