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J-GLOBAL ID：200903013997820762

シリサイド形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092390
Publication number (International publication number)：1993267212
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】P型あるいはN型不純物拡散領域とのコンタクト抵抗の低い金属シリサイド層を形成する方法を提供する。【構成】シリサイド形成方法は、3B族原子を含む不純物から成る不純物含有層20を介してP型不純物拡散層領域12と4A族金属30とを固相反応させて、金属シリサイド層32を形成することから成る。あるいは又、5B族原子を含む不純物から成る不純物含有層を介してN型不純物拡散層領域と4A族金属とを固相反応させて、金属シリサイド層を形成することから成る。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体装置の製造において、3B族原子を含む不純物から成る不純物含有層を介してP型不純物拡散層領域と4A族金属とを固相反応させて、金属シリサイド層を形成することを特徴とするシリサイド形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/225