ペロブスカイト型ナノ粒子及びその製造方法並びに膜

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004036681
Publication number (International publication number)：2005225724
Application date： Feb. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】より低温にて結晶化が可能であり、50nm以下という小さな粒径であっても高い結晶性を有し、さらに分散性に優れたペロブスカイト型ナノ粒子及びその製造方法並びに膜を提供する。【解決手段】本発明のペロブスカイト型ナノ粒子は、AxByOz(ただし、AはIA族元素、IB族元素、IIA族元素、IIB属元素の群から選択される1種または2種の元素、Bは遷移金属元素から選択される1種以上の元素)からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が10nm以上かつ50nm以下であることを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

AxByOz(ただし、AはIA族元素、IB族元素、IIA族元素、IIB属元素の群から選択される1種または2種の元素、Bは遷移金属元素から選択される1種以上の元素)からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が10nm以上かつ50nm以下であることを特徴とするペロブスカイト型ナノ粒子。

IPC (3)：

C01B13/32 , C01B13/18 , C01G33/00

FI (3)：

C01B13/32 , C01B13/18 , C01G33/00 A

F-Term (15)：

4G042DA02 , 4G042DB11 , 4G042DB12 , 4G042DB24 , 4G042DE05 , 4G042DE09 , 4G042DE12 , 4G042DE14 , 4G048AA04 , 4G048AB02 , 4G048AC08 , 4G048AD04 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 4G048AE08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体メモリ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-129469 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (8)

ジルコニウム含有ペロブスカイト化合物微粉体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-225010 Applicant：テイカ株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-232427 Applicant：全インタナショナル株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-063397 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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