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J-GLOBAL ID：200903014031461533
処理装置及び処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
金本 哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996148571
Publication number (International publication number)：1996321537
Application date： Feb. 17, 1988
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウエハに対してフォトレジスト液の塗布処理などの液処理と、熱処理とを行う場合、スループットと処理の信頼性を向上させると共に、処理工程の増加に対して容易に対応できる。【解決手段】 1つの装置本体102内において、直線状の空間部111を挟んで、熱処理機構103、104と塗布機構123、現像機構124とが直線状に配置される。熱処理機構103と104との間には、熱処理機構103、104に対して半導体ウエハWの搬入出を行う搬送機構131が配置され、空間部111には、塗布機構123、現像機構124に対して半導体ウエハWの搬入出を行う主搬送機構112が配置される。各熱処理機構103、104の処理部は積層構造であって、その下方には半導体ウエハWを一時待機させる待機部が設けられている。
Claim (excerpt)：
直線状に配置され、被処理体に所定の温度で熱処理を行う処理部を複数備えた熱処理部と、この熱処理部に沿って設けられた空間部と、この空間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って複数設けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す液処理部と、前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の搬送機構と、前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少なくとも前記熱処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構成された第二の搬送機構と、を1つの装置内に具備したことを特徴とする、処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/68
, H01L 21/02
, H01L 21/027
H01L 21/68 A
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/30 502 J
, H01L 21/30 569 D
Cited by examiner (8)
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