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J-GLOBAL ID：200903014038815721

スパッタリング陰極

Inventor： ベルンハルト、コールト ,  ウォルフラム、マース
Applicant, Patent owner： ライボルト アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991112326
Publication number (International publication number)：1994057421
Application date： Apr. 17, 1991
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリングの際に標的が完全に浸食されて、基板に標的保持ポットの材料やろう材料が入り込むことを防止する。【構成】 スパッタリングによって形成されたターゲット(11)の浸食凹所(18)の深さを超音波センサ(28)によって測定する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの部分から成るターゲット(11)とこのターゲット(11)の後ろに配置された磁石系とを有し、この磁石系は互いに入り組み交互に逆の極性を有する複数の磁石装置(14,15)を有し、これらの磁石装置(14,15)が弓形に湾曲した磁力線から成る少なくとも1つの密閉磁気トンネルを形成しており、磁石装置(14,15)のターゲット(11)とは反対側の極がヨーク(17)を介して互いに結合されている、マグネトロンの原理に基づくスパッタリング陰極において、スパッタリングによって形成されたターゲット(11)の浸食凹所(18)がセンサ(28)によって測定されることを特徴とするスパッタリング陰極。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-257778
  
• 特開昭64-077773