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J-GLOBAL ID：200903014039469274

一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法

Inventor： 徐 順 愛 ,  柳 寅 ▲けい▼ ,  李 明 宰 ,  朴 玩 濬
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004164659
Publication number (International publication number)：2004363604
Application date： Jun. 02, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

【課題】 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板40に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのドレーン44に連結されているデータ貯蔵部Sとを備え、前記データ貯蔵部Sの所定の電圧範囲で現れる抵抗特性が別の電圧範囲で現れる抵抗特性と全く異なるデータ貯蔵物質層54を含むことを特徴とする1T-1Rまたは1D-1Rで構成された不揮発性メモリ装置である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板に形成されたトランジスタと、 前記トランジスタのドレーンに連結されているデータ貯蔵部と、を備え、 前記データ貯蔵部は、異なる電圧で異なる抵抗特性を有するデータ貯蔵物質層を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (2)：

H01L27/10 ,  G11C13/00

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A

F-Term (4)：

5F083FZ10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA15 ,  5F083NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平6-509909
  
• 特開平2-058264
  
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション