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J-GLOBAL ID：200903014046260623

半導体装置の製造方法

Inventor： 新居 圭太
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991237882
Publication number (International publication number)：1993074669
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコン基板2上に、結晶性に優れた薄膜炭化シリコン層を形成し、該薄膜炭化シリコン層に素子を形成した半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 半導体基板2上にシリコン酸化層4を形成する。次に、このシリコン酸化層4に開口14を設ける。開口14から前記絶縁膜を覆うまで炭化シリコン結晶層16が成長する。次に、炭化シリコン結晶層16の全面にSOGを塗布し、異方性エッチングすることにより、薄膜炭化シリコン層を得る。該薄膜炭化シリコン層に、素子を形成する。【効果】 横成長した炭化シリコン結晶層は均一な面方位を有するから、横成長した炭化シリコン結晶層に素子を形成することにより電気特性に優れた半導体装置を提供することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の上に高融点材料を用いた絶縁層を形成する絶縁層形成ステップ、前記絶縁層に結晶成長用の開口を設ける開口形成ステップ、前記絶縁層をマスクとして、前記開口から前記絶縁層を覆うまで炭化シリコン結晶層を成長させる結晶成長ステップ、前記炭化シリコン結晶層の全表面にエッチングを施すことにより薄膜炭化シリコン層を成形するステップ、前記薄膜炭化シリコン層に半導体素子を形成する素子形成ステップ、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/02 ,  C01B 31/36 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316