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J-GLOBAL ID：200903014055606532

半導体レーザ装置

Inventor： 菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992299849
Publication number (International publication number)：1994152054
Application date： Nov. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、活性層として歪量子井戸層を有する半導体レーザ装置に関し、GaAs基板上に作製され波長1.3μmで発振し得る半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 障壁層2に挟まれた歪量子井戸層1を活性層として有する半導体レーザ装置において、歪量子井戸層1をその両側の障壁層2との界面からその中央部に向かって障壁層2との格子定数差が大きくなるように組成が徐々に変化してなるように構成する。

Claim (excerpt)：

障壁層に挟まれた歪量子井戸層を活性層として有する半導体レーザ装置において、前記歪量子井戸層はこれを挟む両側の障壁層との界面からその中央部に向かって前記障壁層との格子定数差が大きくなるように組成が徐々に変化してなることを特徴とする半導体レーザ装置。