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J-GLOBAL ID：200903014059914185

半導体発光素子

Inventor： 松下 哲也 ,  尾藤 喜文
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344344
Publication number (International publication number)：1993175547
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板1上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層2〜6から成る島状部Iを設け、この島状部Iの側面から半導体基板1上にかけて透光性絶縁膜7を被着するとともに、この島状部Iの上面と側面を、島状部Iの一側面を残して第一の電極8で被覆し、この第一の電極8の近傍の前記半導体基板1上に第二の電極9を形成した。【効果】 半導体層2〜6で発光した光は、第一の電極8で被覆されない島状部Iの一側面から取り出され、しかも第一の電極8と第二の電極9は半導体基板1の同一面に形成されることから、このような半導体発光素子を支持基板にフェースダウンボンディング方式で搭載することができるようになり、また、第一の電極8を島状部I上面の広い領域に亘って形成することができ、半導体層2〜6の広い領域に亘って電流を流すことができるようになり、もって発光強度の強い半導体発光素子を提供することができるようになる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に導電型の異なる少なくとも二層の半導体層から成る島状部を設け、この島状部側面から半導体基板上にかけて透光性絶縁膜を被着し、この島状部上面と側面とを、島状部の一側面を残して第一の電極で被覆し、この第一の電極近傍の前記半導体基板上に第二の電極を形成して成る半導体発光素子。