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J-GLOBAL ID：200903014067182134

炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶

Inventor： 廣瀬 富佐雄 ,  杉山 尚宏 ,  岡本 篤人
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998211820
Publication number (International publication number)：2000026199
Application date： Jul. 09, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶基板の内部に存在するマイクロパイプ欠陥を塞ぎ、欠陥の少ない炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 第1の工程で、内部にマイクロパイプ欠陥2を有する炭化珪素単結晶基板1の一方の面にCVD法等により炭化珪素単結晶膜3を形成し、マイクロパイプ欠陥2の一端側を閉鎖する。次いで、黒鉛るつぼ4内に、炭化珪素単結晶基板1の他方の面が炭化珪素粉末5と対向するようにして配置し、熱処理して、他方の面側から炭化珪素粉末5を昇華させた原料ガスを供給し、マイクロパイプ欠陥2内で再結晶化させてこれを埋める。

Claim (excerpt)：

内部にマイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶基板の一方の面に炭化珪素膜を形成する第1の工程と、熱処理することにより上記炭化珪素単結晶基板の他方の面側から炭素源および珪素源を含む原料ガスを供給する第2の工程とからなることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 33/02

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 33/02

F-Term (6)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA19 ,  4G077DB04 ,  4G077FF01