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J-GLOBAL ID：200903014090881031

レジストパターンの形成方法

Inventor： 笠間 邦彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992136434
Publication number (International publication number)：1994069118
Application date： May. 28, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】化学増幅系(ポジ型,もしくはネガ型)レジストのドライエッチング耐性を向上させるとともに、その際のレジストエッチング特性の深さ方向依存性を解消する。【構成】化学増幅系ポジ型レジスト103に通常の方法でコンタクトパターン106を形成し、再度光107による全面露光,ベーク処理して酸触媒反応を充分行ない、このレジスト106に保護基の離脱した領域108を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に塗布された化学増幅系レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工程において、前記化学増幅系レジストに光露光,露光後ベーク処理,および現像処理を施すことにより、レジストパターンを形成し、前記レジストパターンの全面に感光性の光を照射し、前記レジストパターンにベーク処理を行なうことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501

FI (2)：

H01L 21/30 361 Q ,  H01L 21/30 361 P