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J-GLOBAL ID：200903014103002148

メモリの素子及びその製造方法

Inventor： 木島 健 ,  井上 聡
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003109580
Publication number (International publication number)：2004319651
Application date： Apr. 14, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】本発明の目的は、1T1C型、2T2C型、単純マトリクス型、及び1T型強誘電体メモリの持つ課題をほぼ完全に解決する全く新しいセル構造を有し、且つ非破壊読み出しを可能とした強誘電体メモリを提供することにある。【解決手段】単純マトリクス型強誘電体キャパシタセルのビット線上に単純マトリクス型TFTセル上の第2ゲート電極とを固体接合する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

半導体基板自身の電気伝導度変化を異なったデータとして利用することを特徴とするメモリ素子。

IPC (2)：

H01L27/105 ,  G11C11/22

FI (3)：

H01L27/10 444A ,  G11C11/22 501A ,  G11C11/22 503

F-Term (15)：

5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR05 ,  5F083HA10 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 不揮発性メモリセルトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-274424   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置とその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-142280   Applicant：三菱電機株式会社