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J-GLOBAL ID：200903014107783799

半導体の製造方法、半導体ウエハ、半導体素子、および半導体製造装置

Inventor： 堤 芳紹 ,  臼井 建人 ,  富岡 秀起 ,  國友 正人
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996288507
Publication number (International publication number)：1998135195
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】液体原料の気化が不充分なことに起因した不良品を多量に生産する心配がなく、半導体製造上の生産性を向上することが可能な半導体の製造方法を提供する。【解決手段】真空容器5内のヒータ31に加熱されたサセプタ3上にウェハ4を設置し、気化ノズル21から液体原料27と原料ガスを真空容器5内に供給して成膜を行う。その薄膜の成膜中に、真空容器5内における液化原料27の気化の程度(圧力変化)を高速応答真空計11で監視し、その監視結果に基づき液体原料27の気化が不充分な場合には、即座に条件の変更を行う等の対策を取る。

Claim (excerpt)：

液体原料を用いて半導体素子用の基板上に薄膜を成膜する半導体の製造方法において、前記薄膜の成膜される空間で前記液体原料を一旦気化させ、前記液体原料の気化の程度を監視しながら前記基板上に薄膜を成膜して半導体素子を製造することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7)：

H01L 21/31 B ,  C23C 14/54 A ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 27/10 651