Pat
J-GLOBAL ID：200903014114789859
ダイナミツクRAM
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991296238
Publication number (International publication number)：1993110031
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ダイナミックRAMにおけるシリコンとシリコン酸化膜の界面準位を回復させ、リーク電流の低減やデータ保持特性を向上させる。【構成】 ビット線14のコンタクトホール13の側壁において、水素の侵入を防止するシリコン窒化膜10に対して、例えばサイドエッチングによって間隙部11を形成する。この間隙部11では下層の層間絶縁膜5と上層のBPSG膜12が直接接触し、当該間隙部11を介して水素が通過し、シリコン基板1とフィールド酸化膜2の間等における界面準位が回復する。
Claim (excerpt)：
MOSトランジスタからなるアクセストランジスタと共にデータの記憶用の容量をそれぞれ有する複数のメモリセルを半導体基板上に形成し、該半導体基板に形成された前記MOSトランジスタの拡散層にビット線が接続する構造のダイナミックRAMにおいて、前記MOSトランジスタを被覆する層間絶縁膜に形成された前記ビット線のコンタクトホールの側壁に、シリコン窒化膜の間隙部を設けた構造とされることを特徴とするダイナミックRAM。
FI (2)：
H01L 27/10 325 R
, H01L 27/10 325 C
