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J-GLOBAL ID：200903014133375836

縮小投影露光装置および半導体製造方法

Inventor： 鈴木 雅之 ,  望月 則孝 ,  南 節雄 ,  小倉 繁太郎 ,  福田 恵明 ,  渡辺 豊 ,  河合 靖雄 ,  刈谷 卓夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994183414
Publication number (International publication number)：1995147230
Application date： Jul. 11, 1986
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 生産のコストダウンと生産性の向上とを両立させることが可能な新規な露光装置を提供すること。【構成】 転写パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージ(1)と、ウエハを保持するウエハステージ(50,51,52)と、マスクステージに保持されたマスクに露光光を照明する照明手段と、該照明されたマスクの転写パターンをウエハに縮小投影するための、複数の反射面を含み該反射面のうちの少なくとも一つは非球面形状であるような縮小投影光学系(M1,M2,M3)と、ウエハの複数の領域に対してマスクの縮小転写パターンを順次露光転写するよう、少なくとも前記ウエハステージの移動を制御する手段と、を有する縮小投影露光装置。

Claim (excerpt)：

転写パターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウエハステージと、前記マスクステージに保持されたマスクに露光光を照明する照明手段と、該照明されたマスクの転写パターンをウエハに縮小投影するための、複数の反射面を含み、該反射面のうちの少なくとも一つは非球面形状であるような縮小投影光学系と、ウエハの複数の領域に対してマスクの縮小転写パターンを順次露光転写するよう、少なくとも前記ウエハステージの移動を制御する手段と、を有することを特徴とする縮小投影露光装置。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  G02B 17/00 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 ,  G21K 5/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭53-042679
  
• 特開昭61-123812
  
• 特開昭60-201315