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J-GLOBAL ID：200903014136169854

シリコンウエーハの評価方法

Inventor： 大槻 剛
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001293048
Publication number (International publication number)：2003100831
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 水銀プローブ法によりシリコンウエーハの酸化膜耐圧等の電気特性を評価する際に、高精度で測定値のバラツキが少ない評価を行うことができ、さらには、ウエーハの裏面に絶縁膜があっても、水銀電極の構造を変更することなく、容易に正確な測定を行うことができるシリコンウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】 水銀を電極として使用する水銀プローブ法によりシリコンウエーハを評価する方法であって、シリコンウエーハに酸化膜を形成した後、該酸化膜上に導電性の電極材を形成し、その上に水銀電極を接触させてシリコンウエーハの酸化膜耐圧を評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。

Claim (excerpt)：

水銀を電極として使用する水銀プローブ法によりシリコンウエーハを評価する方法であって、シリコンウエーハに酸化膜を形成した後、該酸化膜上に導電性の電極材を形成し、その上に水銀電極を接触させてシリコンウエーハの酸化膜耐圧を評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 1/06

FI (2)：

H01L 21/66 Q ,  G01R 1/06 F

F-Term (7)：

2G011AA01 ,  2G011AC14 ,  2G011AE00 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA14 ,  4M106DD30