ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたポジ型レジスト基材

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000364490
Publication number (International publication number)：2002169288
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、レジスト膜厚の薄膜化にも対応可能な、耐ドライエッチング性、解像性及びレジストパターン断面形状に優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、(A)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(B)(b-1)アルカリ可溶性基を有する単位40〜85モル%、(b-2)(イ)酸解離性溶解抑制基と(ロ)耐ドライエッチング性付与基のそれぞれの基を有する単位3〜25モル%、及び(b-3)酸解離性溶解抑制基を有する単位であって(b-1)と(b-2)以外の単位3〜40モル%を含む共重合体からなる酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、を含有してなるポジ型レジスト組成物である。

Claim (excerpt)：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(B)(b-1)アルカリ可溶性基を有する単位40〜85モル%、(b-2)(イ)酸解離性溶解抑制基と(ロ)耐ドライエッチング性付与基とを有する単位3〜25モル%、及び(b-3)酸解離性溶解抑制基を有する単位であって(b-1)と(b-2)以外の単位3〜40モル%を含む共重合体からなる酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、を含有してなるポジ型レジスト組成物。

IPC (10)：

G03F 7/039 601 , C08F212/14 , C08K 3/32 , C08K 5/00 , C08K 5/09 , C08K 5/17 , C08K 5/51 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/11 503

FI (10)：

G03F 7/039 601 , C08F212/14 , C08K 3/32 , C08K 5/00 , C08K 5/09 , C08K 5/17 , C08K 5/51 , C08L101/02 , G03F 7/004 501 , G03F 7/11 503

F-Term (64)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CB13 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB42 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 4J002BC121 , 4J002BG041 , 4J002BG071 , 4J002DH028 , 4J002EB116 , 4J002EF038 , 4J002EF048 , 4J002EF068 , 4J002EF088 , 4J002EF098 , 4J002EN027 , 4J002EN097 , 4J002ES008 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV266 , 4J002EV296 , 4J002EW048 , 4J002EW068 , 4J002EW128 , 4J002EW138 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002FD208 , 4J002GP03 , 4J100AB07P , 4J100AB07R , 4J100AL03Q , 4J100AL04Q , 4J100AL08Q , 4J100AL21Q , 4J100AL31Q , 4J100BA03P , 4J100BA04R , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA06R , 4J100BA16P , 4J100BA20Q , 4J100BA20R , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA05 , 4J100JA38

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