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J-GLOBAL ID：200903014140145528

プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法

Inventor： 川本 佳史 ,  森山 茂夫 ,  河村 喜雄 ,  横山 夏樹 ,  川上 博士
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995027875
Publication number (International publication number)：1996222548
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、基体全体を大気圧中と真空中を往復させないことにより基体表面への塵埃付着を低減し、同時に高速で反応ガスを基体表面に供給し、反応生成物を高速に排気することにより、処理速度を向上させることを目的とする。【構成】 ガス導入と真空排気とプラズマ発生の機能をもつ構造体を基体表面と数mm以下の間隔に制御しながら対向させ、該構造体を走査させながら基体表面に局所的にエッチングやゲポジションなどの処理を行なう。【効果】 真空排気やパージによる基体表面への塵埃付着の問題発生を無くすこと、高速で安定した処理が行なえること、また、シリコンウェーハの大口径化や液晶表示装置の大型化に容易に対応できるなどの効果がある。

Claim (excerpt)：

基体を平坦な定板に固定する手段と、ガス導入と真空排気とプラズマ発生の機能をもつ構造体を該基体表面と数mm以下の間隔に制御しながら対向させる手段をもち、該構造体は、基体表面に対向することにより、内部を真空排気することができ、反応ガスを導入したとき該内部とガス圧力の高い該構造体の外部との気体の流通をほぼ遮断する機能をもたせ、該構造体の該内部の真空領域に、反応ガスを導入し、プラズマを発生させ、プラズマの発生により該構造体と対向している基体表面が局所的にプラズマ処理されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  H05K 3/08

FI (8)：

H01L 21/302 B ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H05K 3/08 A ,  H01L 21/302 H