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J-GLOBAL ID：200903014144997480

圧電素子の製造方法

Inventor： 田中 克彦 ,  持田 洋一 ,  高田 英一
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 五十嵐 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359641
Publication number (International publication number)：1994196770
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 圧電セラミックスの内部歪みにより、圧電素子が破壊したり接合面に反りや剥離の生ずることのない圧電素子の製造方法を提供する。【構成】 圧電セラミックス1の接合面にガラス層4を形成し、このガラス層4を介してシリコン基板2とを重ね合わせ、この状態で常温より高温度でガラス層4を溶融させて圧電セラミックス1と基板2を接合する。接合後、常温に至る冷却過程で圧電セラミックス1の熱膨張係数は基板2のそれよりも小さく形成してあるので、基板2の方が圧電セラミックス1よりも、より収縮するので、圧電セラミックス1には接合面と直角方向に引っ張り歪みが発生し、この歪み方向に圧電セラミックスは分極される。常温に至り、圧電セラミックスは内部歪みが小さい状態で分極が完了するので、接合面の残留歪みが小さくなり、反りや剥離を生じない。

Claim (excerpt)：

圧電セラミックスと基板とを接合一体化して圧電素子を製造する方法において、圧電セラミックスと基板の熱膨張係数に差をもたせ、圧電セラミックスと基板とを常温よりも高い温度で接合し、接合後常温に至る冷却過程で、圧電セラミックスと基板との熱膨張係数の差を利用して圧電セラミックスを面と平行方向又は面と垂直方向に引っ張り歪みを発生させて、その歪みの方向に圧電セラミックスを分極する圧電素子の製造方法。