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J-GLOBAL ID:200903014146057469
ホール伝導性を有する超分岐高分子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999146436
Publication number (International publication number):2000336171
Application date: May. 26, 1999
Publication date: Dec. 05, 2000
Summary:
【要約】【課題】 電荷発生物質により生成したホールを極めて高い効率で伝導し、ホール伝導を必要とするデバイス用途、例えば太陽電池や電子写真等の光電変換デバイスの材料として応用可能な新規材料を提供する。【解決手段】 分岐末端にホール(正孔)伝導性構造を有し、カルボニル基とベンゼン環とを含むπ電子共役系を分子中心構造に含まない超分岐高分子。
Claim (excerpt):
分岐末端にホール(正孔)伝導性構造を有し、カルボニル基とベンゼン環とを含むπ電子共役系を分子中心構造に含まない超分岐高分子。
IPC (6):
C08G 83/00
, C08G 73/04
, C08G 85/00
, C08J 5/18 CEZ
, H01L 31/04
, H01M 14/00
FI (6):
C08G 83/00
, C08G 73/04
, C08G 85/00
, C08J 5/18 CEZ
, H01M 14/00 P
, H01L 31/04 D
F-Term (29):
4F071AA59
, 4F071AH12
, 4F071BB03
, 4F071BB05
, 4F071BB06
, 4F071BC01
, 4J031BB01
, 4J031BB02
, 4J031BB03
, 4J031BB05
, 4J031BC19
, 4J031BD23
, 4J031CA06
, 4J031CD12
, 4J031CD13
, 4J043PA13
, 4J043PB07
, 4J043PB23
, 4J043QB24
, 4J043YB06
, 4J043YB24
, 4J043ZA41
, 4J043ZA51
, 4J043ZB21
, 4J043ZB24
, 5F051AA11
, 5F051BA05
, 5H032AA06
, 5H032EE04
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