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J-GLOBAL ID：200903014148129157

ショットキーダイオードおよびその製造方法

Inventor： 村上 進 ,  鶴岡 征男 ,  松崎 光幸 ,  菅野 実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997166863
Publication number (International publication number)：1999017197
Application date： Jun. 24, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】ショットキーダイオードにおいて、半田接続強度が大きなバリア電極を得る。【解決手段】無電解Niめっきにより形成し、n型半導体領域(1)側からNiSi(21),Ni2Si(22)の2種類のニッケルシリサイド膜上にNi(23)電極を積層する。【効果】半田接続しても特性劣化がなく、しかも機械的強度の強いショットキーダイオードを得ることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体領域の一方の主表面から内部に延び、該第1半導体領域を包囲する第2導電型の第2半導体領域が選択的に形成され、該第1半導体領域との間にショットキー接合が形成され、第2半導体領域との間にオーミック接続されるバリア電極を有するショットキーダイオードにおいて、バリア電極として、NiまたはCrを金属原子MとするMSi構造,M2Si構造の2層の金属シリサイドを積層し、さらにMからなる電極を形成させたことを特徴とするショットキーダイオード。