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J-GLOBAL ID：200903014151320283

ビーム描画装置及びパターン形成方法

Inventor： 前原 広
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 日比谷 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998283444
Publication number (International publication number)：2000100758
Application date： Sep. 18, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 点対称な形状を有するエッチングパターンを任意な形状に制御する。【解決手段】 基板S上に塗布されたレジストに対し、任意の角速度で基板Sを回転しながら半径の異なる複数のパターンの描画を行い、現像後に露光量が最適なパターンの半径を求める。次に、このパターンの半径を基準にして、他の半径のパターンの角速度をそれぞれ計算で求める。このようにして形成された回折光学素子上の任意の位置に対する光線の入射方向を光線追跡方により計算する。続いて、この回折光学素子用の基板Sを用意し、レジスト成膜後に電子ビーム露光により回折光学素子パターンを描画する。このとき、先に求めた回折光学素子上の任意の位置における光線の入射方向とパターン側壁とが平行になるように、基板Sのチルト角度を制御しながらイオンビームエッチングを行うことにより、回折光学素子に対する入射光線と回折光学素子パターン側壁が平行な回折光学素子用パターンを得る。

Claim (excerpt)：

ビームを発生するビーム発生源と、ビームを集束する光学素子群と、集束したビームを制御する制御系と、ビームを被加工基板の所望の位置に照射するためのステージと、該ステージを位置制御する高精度位置決め機構と、前記被加工基板を保持するチャックとを有し、前記ステージは前記チャックにより前記被加工基板を任意の角度に保持するための傾斜ステージとし、該傾斜ステージを回転する回転機構を備えたことを特徴とするビーム描画装置。

IPC (7)：

H01L 21/302 ,  B62D 57/00 ,  G02B 3/08 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/00

FI (8)：

H01L 21/302 Z ,  G02B 3/08 ,  G02B 5/18 ,  G03F 7/20 501 ,  H05K 3/00 G ,  H05K 3/00 H ,  B62D 57/00 K ,  H01L 21/30 514 C

F-Term (19)：

2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA68 ,  2H049AA69 ,  2H097AA03 ,  2H097AA16 ,  2H097AB06 ,  2H097CA16 ,  2H097CA17 ,  5F004AA16 ,  5F004BA11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004CA09 ,  5F004EB08 ,  5F046AA06 ,  5F046AA09 ,  5F046CA03 ,  5F046CC06