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J-GLOBAL ID：200903014151725453

p型窒化ガリウムの成長方法

Inventor： 中村 修二 ,  長濱 慎一
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993042125
Publication number (International publication number)：1994232451
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型ドーパントをドープしたGaNを何の後処理も必要とせず、成長中に低抵抗なp型とすることができる成長方法を提供する。【構成】 有機金属化合物気相成長法により、一般式InXAlYGa1-X-YN(但し0<X<1、0≦Y<1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体を成長した後、該窒化ガリウム系化合物半導体の上に、Mgを1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜3×10<SP>2</SP><SP>0</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲でドープしたGaNを成長させる。

Claim (excerpt)：

有機金属化合物気相成長法により、一般式In<SB>X</SB>Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>X-Y</SB>N(但し0<X<1、0≦Y<1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後、該窒化ガリウム系化合物半導体の上に、Mgを1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜3×10<SP>20</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲でドープしたGaNを成長させることを特徴とするp型窒化ガリウムの成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205