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J-GLOBAL ID：200903014152248993

磁気発光素子

Inventor： ▲高▼橋 宏昌 ,  星屋 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996344940
Publication number (International publication number)：1998186011
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の感度の高さを活かし、これを電気信号ではなく、光に変換することで、高記録密度に対応した磁気記録装置を提供する。【解決手段】半導体基体上に成長した半導体発光素子23と、磁界によって電気特性の変化する構造を有する構成とが電気的に接続した磁気発光素子。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に成長した入力電流によって発光する特性を持つ半導体発光素子と、磁界によって電気特性の変化する構造とから成り、上記半導体発光素子の信号入力構造と磁界によって電気特性の変化する構造とが電気的に接続することで、上記半導体発光素子あるいは構成全体に印加される磁界によって応答の異なる特性を有することを特徴とする磁気発光素子。

IPC (5)：

G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 33/00 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G01R 33/06 R ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 33/00 J ,  H01L 43/08 Z